Intel|英特尔将公布新技术向埃米时代前进( 二 )_英特尔将公布新技术|向埃米时

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超越其全栅极 RibbonFET，英特尔正在通过堆叠多个 (CMOS) 晶体管的方法掌握即将到来的后 FinFET 时代，该方法旨在实现最大 30% 至 50% 的逻辑缩放改进，以推动摩尔定律的不断发展通过每平方毫米安装更多的晶体管。

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英特尔还通过前瞻性研究为摩尔定律进入埃时代铺平了道路，该研究展示了如何使用只有几个原子厚的新型材料来制造克服传统硅通道限制的晶体管，从而使每个芯片面积上增加数百万个晶体管为未来十年更强大的计算。

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2.英特尔正在为芯片带来新功能：
通过在 300 毫米晶圆上实现基于 GaN 的电源开关与基于硅的 CMOS 的全球首次集成，英特尔正在推进更高效的电源技术。这为向 CPU 提供低损耗、高速供电奠定了基础，同时减少了主板组件和空间。

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另一个进步是英特尔行业领先的低延迟读/写功能，它使用新型铁电材料实现下一代嵌入式 DRAM 技术，该技术可以提供更大的内存资源，以解决从游戏到人工智能的计算应用程序日益复杂的问题。
3.英特尔正在通过基于硅晶体管的量子计算以及全新的开关来追求巨大的性能，以通过新型室温设备进行大规模节能计算。未来，这些启示可能会通过使用全新的物理学概念来取代经典的 MOSFET 晶体管：

在 IEDM 2021 上，英特尔展示了世界上第一个在室温下实现磁电自旋轨道 (MESO) 逻辑器件的实验性实现，这展示了基于开关纳米级磁铁的新型晶体管的潜在可制造性。
英特尔和 IMEC 正在自旋电子材料研究方面取得进展，以使器件集成研究接近实现全功能自旋扭矩器件。
英特尔还展示了用于实现与 CMOS 制造兼容的可扩展量子计算的完整 300 毫米量子位工艺流程，并确定了未来研究的下一步。