IT之家|三星推出全球首款HKMG工艺DDR5内存，单条512GB
据外媒 HPCwire 消息 ， 三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组 ， 使用了 High-K Metal Gate （HKMG） 工艺 ， 可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现 ， 达到 7200Mb/s 。 三星表示 ， 新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域 ， 保证性能释放 。
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IT之家了解到 ， HKMG 技术目前仅应用于 GDDR6 显存芯片 ， 能够使用新的金属材料作为芯片中的绝缘层 ， 减少漏电流 ， 使得能耗降低 13% 。 三星这项技术在 DDR5 内存颗粒的应用 ， 进一步确立了该品牌的领先地位 。
除此之外 ， 三星还利用了 TSV 硅通孔技术 ， 堆叠 8 层 16Gb DRAM 芯片 ， 因此可以实现 DDR5 内存 512GB 的最大容量 。
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【IT之家|三星推出全球首款HKMG工艺DDR5内存，单条512GB】三星电子内存部门副总裁 Young-Soo Sohn 表示 ， “三星是目前全球唯一一家能够使用 HKMG 技术制造内存芯片的半导体厂商 。 这种工艺引入 DRAM 制造 ， 三星可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案 ， 助力医学研究、金融、自动驾驶、智慧城市等应用 。 ”
英特尔还表示 ， 随着目前世界上数据量的持续增长 ， DDR5 内存正处于云计算中心、网络中心、边缘计算的关键节点 。 英特尔的工程师团队与三星等企业密切合作 ， 致力于制造高速、节能的 DDR5 内存 。 英特尔即将发布的代号为 “Sapphire Rapids”的 Xeon 至强处理器也将兼容 DDR5 内存 。
IT之家获悉 ， 三星正在对其 DDR5 内存产品原型的不同变种进行实验 ， 并发送样品给客户进行检验 。
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