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视点·观察 快充行业黑话指南 Vol.1( 二 )


视点·观察 快充行业黑话指南 Vol.1
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严格意义上来说大于5V1A就叫快充，只不过5V1.5A（上图测试仪显示屏中DCP协议）和5V2A已经无法满足用户的基本需求了，说得通俗点就是不够看了，所以现在将9V2A或以上定义为快充 。
进阶层
上面的还比较简单，这一层就有一定难度了，看你能闯到第几关？
功率密度：用专业的术语来说，功率密度其实描述的是电池的倍率性能，即电池可以以多大的电流放电 。伴随着氮化镓的应用，充电器的体积越来越小，功率密度也被用来作为充电器功率和体积比率的单位 。一般来说，功率密度越大的充电器在设计或材料应用上越有独特之处 。一般的氮化镓充电器普遍突破了1W/cm3 。
Apple 2.4A、Samsung 5V2A、DCP协议，以及QC3.0、QC4+、SCP、FCP、AFC、PD3.0、PPS……
关于这一章节可以参考此前的科普文章《充电杂谈：什么是快充协议》
大功率多接口的氮化镓充电器越来越多，这一长串XX频繁出现在我们的评测和拆解中，它们都是充电协议 。其中最为普遍的是PD和QC，对线材和充电器的要求也比较低，支持的设备也是最多的，很多手机厂商和第三方的配件厂商的充电产品都可以支持PD和QC快充协议 。USB PD快充协议是USB-IF标准化组织推出的一个快充标准，旨在统一电子设备的快充方案 。所以这里放在最后作为总结来写 。剩下的AFC和FCP也很常见，在很多三星手机和华为手机上搭载；SCP是华为的超级快充，普遍性也比较高，在除华为之外的其他充电配件当中也可以见到 。
现在PE快充比较少见，主要是魅族的一些机型还支持PE快充；OPPO系的VOOC、DART、Warp闪充主要在自家的配件和经过授权的第三方配件厂商可以见到，而SuperVOOC和SUPERDART超级闪充只有OPPO系的充电配件可以见到，且仅针对特定的OPPO和Realme以及一加手机有效；至于FlashCharge快充目前仅有vivo和iQOO的手机搭载 。
因为快充是需要充电器端、连接线材以及设备接收端都支持快充才可以进行快充通讯的，如果非要把以上的快充普及度排名的话，我想应该是PD/QC>FCP>SCP>VOOC>AFC>SuperVOOC>PE>FlashCharge 。
UI充电：UI充电很多时候是一个贬义词，指的是手机厂商在快充过程中做了“手脚”，让用户以为手机已经快速充电完成，实际上并没有 。
这里涉及到充电阶段的问题 。一般来说，充电过程中分为不同的阶段，这里举例一种比较常见的：涓流充电（trickle charge）→预充电（pre charge）→恒流充电（const current charge）→恒压充电（const voltage charge）→充电终止（charge termination）
在充电终止之前，手机已经显示电量充满，但实际上还在默默“偷充”，这就是UI充电 。某种意义上，这也是快充竞争的畸形产物 。
E-Marker：Electronically Marked Cable，封装有E-Marker芯片的USB Type-C有源电缆，DFP和UFP利用PD协议可以读取该电缆的属性：电源传输能力，数据传输能力，ID等信息 。所有全功能的Type-C电缆都应该封装有E-Marker，但USB2.0 Type-C电缆可以不封装E-Marker 。
视点·观察 快充行业黑话指南 Vol.1
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C94：C94端子头是苹果Lightning接口的其中一种型号，外观上最大的不同便是Lighting端是银白色而非金黄色的 。相对于C48、E75的多颗元器件组合，C94芯片设计集成度更高 。安全上，C94端子头采用SHA256算法加密，通俗一点说比特币也采用该加密方式 。
苹果不仅有C94端子头，还有C91、C89、C52、C48等端子头，用途也各不相同 。其中C94、C91和C52（已停产）端子头都支持苹果快充，C94和C91的外形和PCB板都一样的，区别在于C94是开放给MFi工厂的，而C91是苹果自用的 。
GaN、SiC：
氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）均为第三代宽禁带半导体材料、
其中氮化镓用于半导体器件中时，具备耐高温、高开关频率、低导通电阻、高效率、化学性质稳定等优异特性，不过受限于制造工艺、应用成本等因素的限制，多年以来氮化镓仅实现小范围应用 。
近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现，并正在打开应用市场 。自从2018年开始，氮化镓在消费类快充电源领域的应用就已经进入了快车道 。未来五年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于激光雷达、5G通信、新能源汽车、特高压、人工智能、数据中心等场景 。
碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅单晶材料目前采用物理气相输运（PVT）法，在超过2000℃的高温下，将碳粉和硅粉通过高温分解成原子，通过温度控制沉积在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶体 。

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