场效应管的工作原理场效应管工作

当VGS>VGS(th)固定在某一值时，VDS对ID的影响，即iD=f(vDS)？VGS =常数的关系曲线如图02.16所示。这条曲线称为漏极输出特性曲线。
图02.16
(a)输出特性曲线(b)传递特性曲线
图02.16漏极输出特性曲线和转移特性曲线
(2)N沟道耗尽型MOSFET
【场效应管的工作原理场效应管工作】N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图02.17(a)所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS>0时，将使ID进一步增加。VGS

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