芯片|通富微电封装技术获国家科技进步一等奖_高密度|一等奖|成品率|通富微

11月3日， 2020年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂举行。通富微电作为主要完成单位、总裁石磊作为主要完成人的“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目，荣获国家科技进步一等奖。
据了解，通富微电此次获奖项目内容来源于其承担的2017年国家02专项——CPU封装及测试技术开发，该技术是目前国际唯一突破7纳米9芯片64核CPU芯片封装核心技术，产品成品率达99.8% 。此项殊荣对于通富微电的发展具有里程碑式的意义，代表着通富微电无论是技术完成性，还是先进性，都上升到了一个新的高度。
由于芯片集成化、小型化、微量化的发展趋势，芯片封装的密度越来越高，而高密度芯片封装容易出现翘曲和异质界面开裂，导致成品率低和寿命短等产业共性难题。
通富微电此次获奖项目内容之一便是针对高密度芯片封装工艺中焊点易桥连和界面易损伤难题，提出倒装铜柱凸点高密度键合技术，发明原位微米级栅线投影翘曲测试方法，研制基材与布线密度匹配、磁性载具与回流曲线优化的低应力倒装焊接工艺。该技术突破了高密度可靠电子封装技术瓶颈，解决了电子封装行业知识产权“空心化”和“卡脖子”难题，实现了高密度高可靠电子封装从无到有、由传统封装向先进封装的转变，同时，还带动了封装成套装备、材料和工艺创新发展，为国家打造自主可控的集成电路产业链做出贡献。
经多个专项项目实施的技术积累，通富微电建成了国内首条12英寸28纳米先进封装测试全制程生产线，实现批量生产，并实现7纳米CPU封装技术的突破，成功应用于国内某品牌手机，填补国内空白，达到世界一流技术水平。
【芯片|通富微电封装技术获国家科技进步一等奖】据悉， 2020年度国家科学技术奖共评出264个项目，其中包括46项国家自然科学奖项目、61项国家技术发明奖项目、157项国家科学技术进步奖项目。

芯片|通富微电封装技术获国家科技进步一等奖

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