珠海镓未来科技是国内领先的氮化镓功率器件生产企业 ， 致力于Cascode结构氮化镓产品的研发和生产 ， 该结构结合了硅器件的易用性和氮化镓器件的高频率高效率的特点 ， 可以实现高达10千瓦的高功率密度电源解决方案 。
最近 ， 镓未来针对于快充应用 ， 推出三款小尺寸贴片cascode氮化镓器件----G1N65R480PA, G1N65R240PB和G1N65R150PB, 内阻分别为480mohm、240mohm和150mohm 。 以其强壮的抗干扰能力和简易的驱动方式 ， 助力用户实现简洁高效的氮化镓快充设计 。
更高栅极耐压 ， 从容应对多种控制器方案
相别于普通增强型氮化镓功率器件不超过7.5V的栅极耐压 ， G1N65R480PA, G1N65R240PB和G1N65R150PB的栅极可以耐受的极限电压为20V ， 这就可以兼容用于驱动超结器件的控制器 。 这些控制器的驱动电压通常为12V ， 如果用于驱动普通增强型氮化镓器件 ， 需要增加分压阻容网络和钳位齐纳二极管,驱动线路多达8个器件 。 而采用镓未来的氮化镓器件 ， 驱动线路仅需3个电阻及一个二极管 ， 与传统硅超结器件相同 ， 简洁的外围电路有效降低了占用的PCB面积 ， 特别适合小尺寸的快充设计 。
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更高阈值电压 ， 避免误导通
普通增强型氮化镓的阈值电压通常不超过1.7V ， 这与硅超结器件（典型值一般在3V左右）相比 ， 其抗噪声干扰能力降低 ， 增加了误导通的风险了 。 因此产品封装和Layout处理起来相对比较麻烦 ， 需要尽可能减少源极寄生电感的影响 。 镓未来科技将开通阈值电压提高到了2.2V, 可以有效降低栅极噪声带来的误导通风险 ， 电源产品设计更为容易 。 对于更大功率的应用 ， 镓未来可以通过内置硅管工艺的调整 ， 将阈值电压设定到3V ， 以兼容硅超结器件的驱动 。
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更低动态电阻 ， 提高转换效率
在高压应用中 ， 尽管氮化镓器件可以大大降低开关损耗 ， 但存在一个对导通损耗不利的特性 ， 称为动态内阻 。 从高压阻断状态变化成导通状态后的一小段时间 ， 氮化镓器件不能立刻工作到长时间导通的内阻状态（静态内阻） ， 此时的阻值高于静态内阻 。 普通增强型氮化镓器件比静态上浮30%左右 ， 设计高频充电器的时候需额外留出该导通损耗的裕量 。 镓未来科技采用特殊工艺 ， 将动态内阻上浮控制在10%以内 ， 降低了导通损耗 ， 提高了转换效率 。
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前这三款产品已经量产 ， 并且G1N65R240PB 在客户20V3.25A产品上实现了高达94%的输出转换效率 。 另外采用单颗G1N65R240PB加两颗G1N65R480PA的组合可以实现120W PFC+LLC的解决方案 ， 最高效率可达95.9%；130W~200W推荐使用G1N65R150PB作为PFC开关管 ， 可以有效降低导通损耗 。
关于镓未来
【产品|镓未来科技发布G1N65R150PB快充专用GaN功率器件，内阻150mohm】珠海镓未来科技有限公司是专注于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新研发与应用的高端氮化镓功率器件设计制造商 ， 核心团队由IEEE Fellow 吴毅锋博士领衔 ， 深港微电子学院创始人及前华为海思化合物半导体创始成员组成 ， 具有成熟的产业化研发和市场运营经验 。 镓未来致力于为业界提供从30W到10KW的氮化镓器件及系统解决方案 ， 并可实现10KW和900V氮化镓器件的量产 。 目前 ， 镓未来已完成多轮融资 ， 投资方包括境成资本、珠海科创投、大横琴集团等 ， 融资金额过亿 。 未来 ， 镓未来将通过核心技术自研+全产业链的布局 ， 推动高端氮化镓功率器件大规模产业化应用 。
有需求的伙伴可以与镓未来科技联系 ， 获取更多产品详细信息 。
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