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节点|英特尔改变芯片命名方式，计划2024年进入埃米时代

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7月27日 ， 英特尔对外公布了最新的制程工艺和封装技术路线图 ， 并且还公开了新的工艺节点命名——不再以晶体管尺寸命名——将用“Intel 7”指代芯片 。
此外 ， 英特尔的芯片代工业务（IFS）也在稳步推进中 ， 收获了高通和AWS（亚马逊云）两大客户 。
全新的工艺节点命名体系
英特尔称 ， 基于原有的FinFET晶体管架构 ， 接下来的工艺节点将被命名为Intel 7、Intel 4、Intel 3 。
其中 ， Intel 7与Intel 10纳米SuperFin相比 ， 每瓦性能将提升约10%-15% 。 2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采Intel 7工艺 ， 之后是面向数据中心的 Sapphire Rapids预计将于 2022 年第一季度投产 。
Intel 4完全采用EUV（极紫外）光刻技术 ， 可使用超短波长的光 ， 刻印极微小的图样 。 凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进 ， Intel 4将在2022年下半年投产 ， 并于2023年出货 。
Intel 3凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用 ， 较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升 ， 在芯片面积上也会有额外改进 。 Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产 。
之前 ， 英特尔在先进制程的推进上不如竞争对手台积电积极 。 台积电的工艺已经推进到3纳米 ， 同样采用FinFET架构 。
不过 ， 英特尔一直认为自己的工艺密度更高 ， 不好与竞争对手的产品直接对比 。
业界对芯片工艺节点的命名主要以采用晶体管实际的栅极长度相对应 ， 比如40纳米、28纳米、10纳米 。 但近年 ， 工艺节点命名则不完全以此为准 ， 也出现了不同厂商同为“7纳米”但实际工艺不同的说法 。
英特尔则表示 ， 从1997年开始 ， 基于纳米的传统制程节点命名方法 ， 不再与晶体管实际的栅极长度相对应 。 英特尔称 ， 新的命名体系能帮助客户对整个行业的制程节点演进建立一个更准确的认知 。
英国《金融时报》援引分析师的话称 ， 虽然台积电还将其最先进的芯片称为5纳米 ， 但就芯片制造技术而言 ， 其他方面重要性日益突出 ， 用晶体管尺寸命名已经没有多少意义 。
【节点|英特尔改变芯片命名方式，计划2024年进入埃米时代】2024年进入埃米时代
当天 ， 英特尔还公布了近十多年来推出的首个全新晶体管架构RibbonFET ， 以及业界首个背面电能传输网络PowerVia 。
英特尔称 ， 采用RibbonFET架构和PowerVia技术的工艺将被命名为Intel 20A和Intel 18A ， 从此公司将开起埃米时代 。
英特尔介绍 ， RibbonFET是英特尔对Gate All Around晶体管的实现 ， 它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构 。 该技术加快了晶体管开关速度 ， 同时实现与多鳍结构相同的驱动电流 ， 但占用的空间更小 。 PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络 ， 通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输 。
其中 ， Intel 20A预计将在2024年推出 。 高通公司将在Intel 20A制程工艺技术上与英特尔合作 。
英特尔称 ， 从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中 ， 将于2025年初推出 ， 它将对RibbonFET进行改进 ， 在晶体管性能上实现又一次重大飞跃 。
英特尔CEO基辛格表示 ， 从2021年至2025年 ， 每年至少将推出一款新CPU ， 并希望到2025年实现工艺性能领先 。
《华尔街日报》指出 ， 在经历了一连串决策失误和生产延误后 ， 英特尔已经落后于亚洲竞争对手 。 台积电和三星的芯片工艺均领先于英特尔 ， 两家公司为芯片设计公司代工生产 ， 帮助客户在与英特尔的竞争中占据优势 。
此外 ， 英特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV ， 有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机 。 英特尔正与ASML密切合作 ， 确保这一行业突破性技术取得成功 ， 超越当前一代EUV 。
代工业务收获首批客户
早前 ， 英特尔宣布将推出代工服务（IFS） 。 这次英特尔对外公布代工业务收获首批两大客户高通和AWS 。
英特尔CEO基辛格说：“业界对英特尔代工服务有强烈的兴趣 ， 今天我很高兴我们宣布了首次合作的两位重要客户 。 英特尔代工服务已扬帆起航！”
AWS则是英特尔的封测业务的客户 。 英特尔宣布 ， AWS将成为首个使用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户 。
英特尔称 ， 随着全新IDM2.0战略的实施 ， 封装对于实现摩尔定律的益处变得更加重要 。
英特尔也公布了自己的封装技术路线图 。 从最早首个2.5D嵌入式桥接解决方案出货EMIB产品 ， 到Foveros利用晶圆级封装能力 ， 提供首个3D堆叠解决方案 ， 到下一代Foveros Omni提供高性能3D堆叠技术以及最新的Foveros Direct实现了向直接铜对铜键合的转变 ， 使得晶圆制程到封装之间的界限不那么截然 ， 使得堆叠的密度提高一个数量级 。
英特尔称 ， 这些突破性的技术将主要在英特尔俄勒冈州和亚利桑那州的工厂开发 。
(本文来自澎湃新闻 ， 更多原创资讯请下载“澎湃新闻”APP)

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