10/7nm工艺虽好，但Intel并不急于下手 _工艺

英特尔和三星今年的主流工艺技术是14纳米FinFET，TSMC也将在下半年量产16纳米FinFET 。此外，他们正在密切关注下一代10纳米技术，预计将于2017年进行大规模生产。目前英特尔并不着急，10纳米制程的制造设备安装时间已经延后。虽然英特尔一直在不同场合宣传未来10nm甚至7nm工艺对提高晶体管密度、降低成本有多好，但英特尔本身并不着急，新的工艺投入还是太贵了。

【10/7nm工艺虽好，但Intel并不急于下手】 按照原计划，英特尔应该在今明两年进入10nm节点，但14nm工艺去年延期过一次，英特尔原计划今年3月在以色列的晶圆厂安装10nm工艺制造设备，但现在设备安装计划推迟到12月。

更先进的技术意味着更高的晶体管密度，这将带来更高的性能和更低的成本。但是先进技术的投入也达到几十亿甚至几十亿美元，前期的资金投入也是一个沉重的负担。在昨日的财报发布会上，Intle高管表示，“通过前期对14nm、10nm和7nm的研究，晶体管密度的提升将抵消每平方英寸晶圆的资金投入影响。”

首席执行官柯在奇也表示，在10纳米工艺下，晶圆的资本投资成本会增加，但不会像晶体管密度那样增加。然而，英特尔公司拒绝给出10纳米工艺的预期时间，并拒绝回应前述10纳米制造设备安装延迟的报道。这只是表明10纳米工艺是未来的事情，一切都在按计划进行。