TSMC公司2017年也要量产10nm工艺
【TSMC公司2017年也要量产10nm工艺】 虽然16纳米FinFET技术落后于三星甚至Globalfoundries的14纳米FinFET技术,但TSMC开发新技术的决心不会改变,未来与英特尔的技术差距将会缩短 。16纳米工艺之后是10纳米工艺 。TSMC已经和很多客户联合设计10纳米产品,预计2017年量产 。
Guru3d网站日前在TSMC技术研讨会上与TSMC负责基础设施建设的高级主管SukLee进行了沟通,双方就TSMC的工艺进展进行了交流 。TSMC联合首席执行官兼总裁雷颂德(刘德音)提到,10纳米工艺将在16纳米工艺之后迅速跟进,李硕也表示,他们的10纳米工艺正在进行中,已经完成了超过35款使用ARMCPU内核的EDA工具的认证 。
此外,他们在10纳米流程中提前六个月开始了与客户的知识产权验证流程 。目前有10家客户在合作10纳米产品 。TSMC将于2015年底前完成认证工作,并正在与客户合作于2017年进行电影制作和量产 。
10纳米后是7纳米 。李硕表示,不方便评论具体流程 。然而,TSMC已经开发了10纳米后的工艺,预计7纳米工艺将在2017-2019年问世 。
巧合的是,英特尔估计10纳米制程的量产时间也在2017年 。如果进展顺利,届时TSMC将能够跟上英特尔的最新进程 。英特尔去年大规模生产了14纳米工艺,FinFET晶体管早在2012年就被用于IVB处理器,而TSMC的16纳米FinFET工艺预计要到今年下半年才能大规模生产 。
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