华为公开 “石墨烯场效应晶体管”专利，涉半导体领域
3月30日消息，企业调查App显示，最近华为技术有限公司公开了石墨烯场效应晶体管专利，公开号码为巴克N11032326B 。
专利摘要显示，该申请提供石墨烯场效应晶体管，涉及半导体技术领域，提高设备输出电阻，提高开关比，实现更好的射频性能 。石墨烯场效应晶体管包括衬底、第一格栅电极、第二格栅电极、第一格栅介质层、第二格栅介质层、槽层、源电极和漏电极 。
【华为公开 “石墨烯场效应晶体管”专利，涉半导体领域】另外，槽层的材料包括AB堆积双层石墨烯或AB堆积多层石墨烯，第一栅极电极和第一栅极介质层设置在槽层的一侧，第二栅极电极和第二栅极介质层设置在槽层的另一侧，第一栅极电极包括多个间隔设置的第一子电极和第一连接子电极
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