怎么看待中国芯片获得重大突破,华为或迎来转机呢?

我从2012年就从事FPGA芯片的研发,经历了芯片的被冷落,到今天的备受关注 。现在芯片领域有一点风吹草动,大家都仿佛看到了希望 。其实,华为的困境只是中国半导体困境的缩影,华为的问题,折射出了中国半导体产业链的重大缺陷 。
中国芯片的转机——中芯国际“7nm”工艺成功流片中国芯片的转机无非说的是中芯国际在工艺上的进展 。10月,芯动科技宣布完成了基于中芯国际N+1工艺的芯片流片和测试工作,这是中芯国际N+1工艺商用的标志性事件,对中芯国际来说,中芯国际的工艺水平又上一层楼 。
怎么看待中国芯片获得重大突破,华为或迎来转机呢?
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中芯国际
据中芯国际CEO梁孟松说,中芯国际N+1工艺相当于台积电的7nm工艺 。那么,换句话说,一定程度上中芯国际已经具备取代台积电7nm工艺的能力,这对中国半导体行业来说,是一个重大利好消息 。
但不得不指出的是,中芯国际目前使用的还是DUV光刻机,而不是最先进的EUV 。正是ASML最先进EUV光刻机的的缺乏,才有了N+1工艺的应运而生,这也是中芯国际曲线救国的无奈之举 。
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中芯国际的“7nm工艺“,能否帮助华为破局?每个人都很清楚,华为眼下的困局是台积电无法代工问题 。那么,中芯国际是否有能力取代台积电?我们先看看中芯国际的工艺水平 。中芯国际最先进的就是现在所谓“7nm”的N+1工艺,而台积电早在2018年就完成7nm,而现在主打5nm,正在研发3nm,下图一目了然
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不同代工厂工艺发展进程
我们再看华为需要的,华为的主流芯片包括智能手机芯片,基带芯片以及ASIC等芯片,这些芯片主要工艺都集中在5nm、7nm和14nm上,而高端芯片则一定是5nm,因为当苹果发布5nm的A14时,华为如果还是7nm,那么明显没有竞争力 。
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【怎么看待中国芯片获得重大突破,华为或迎来转机呢?】先进工艺的不同客户
所以,总结起来就是华为智能手机和基带芯片需要5nm甚至3nm,而中芯国际眼下并不具备该能力 。短时间内,无法给华为带来新的生机 。
中芯国际N+1工艺流片的意义,不能只看给华为带来什么那么狭隘 。而是要看给中国半导体产业链的完善带来的贡献 。开篇说到华为的困境,不是一个个体现象,而是中国半导体行业困境的一个缩影 。这反应了,中国在半导体产业链上的重大缺陷 。我们只集中在半导体产业链的下游——研发芯片,而在半导体产业链的上游,丝毫没有核心竞争力 。
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中芯国际在半导体产业链中的位置
但中芯国际的突破,对整个产业链的进步意义是重大的,中芯国际的工艺进步,能推动半导体产业链的发展 。比如中芯国际对光刻机,刻蚀机,CVD设备,PVD设备,清洗设备的推动是巨大的 。
随着产业链核心技术的积累,相信量变会达到质变,在5年或者10年以后,中国产业链会能做到独立自主 。所以,虽然眼下没有给华为带来转机,但长久来看,必定能帮助华为破局 。十年树木百年树人,我相信我们终将会成功!
怎么看待中国芯片获得重大突破,华为或迎来转机呢?
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其他网友观点国家这么重视,中国芯片获得重大突破是必然的,时间长短而已
其他网友观点“怎么看待”?“突破”若是真的,就真的“重大”,“转机”则一定因此而增强“迎来”的可能性,却又是只能在未来而不是现在迎来,倒是有可能早一点迎来 。
1“中国芯片获得重大突破,华为或迎来转机”必须拆开
必须拆开是因为消息来源不同,不是出自同一个,而且,前一句在前,后一句是跟着前一句说的,2句话或者叫2个说法也就应该是各自独立的 。
前一句来源于IT之家在10月11日所做的报道 。IT之家的报道则是引用和“依据” 芯动科技所发布的消息,即IT之家说人家芯动科技称自己已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的流片和测试,所有IP全自主国产,且功能测试一次通过 。另有媒体说,中芯国际没有针对此事发声 。如果芯动科技真的发布了,即IT之家的报道属实,那么,中国芯片就真的是获得了重大突破;芯片制造和芯片IP定制双双突破,制程工艺接近7纳米加IP全自主国产,肯定够重大的了!
后一句来源于多个自媒体随后所做的分析 。网上可见,跟在IT之家后面做分析的自媒体有一大溜 。显然,分析是基于IT之家报道所做的旁推、联系、“演绎”,更是预测 。一些自媒体判断现在就能让华为迎来转机,但是,由“或”字可见是心里并不托底的 。实际上也真是,那些个自媒体至今仍然并不了解中芯国际与华为的关系,含在中芯国际芯片制造技术包括DUV光刻机中的美国技术是横亘在与华为中间的一座大山啊,中芯国际在帮助华为上可以说是有心却用不上劲;即使现在的工艺突破真的达到了7nm,也不能继续给华为制造华为高端手机所需的高端芯片,只有等到也实现了“全自主国产”的时候 。
2中芯国际FinFET N+1先进工艺这个突破为华为最终迎来转机创造了重要的预先性或先期性条件
这是肯定的,不容置疑,即便还没有达到7nm,即便接下来的N+2代FinFET工艺突破也仅仅是7nm,虽然不是全自主国产的 。
重要的是N+1工艺突破看来是提前了 。原来中芯国际至少在今年3月底表示的是在今年底才能实现,现在则已经导入客户试产,后续的重点是提高良品率,看得出是很努力的,技术进步快速,而且是在低端的国外光刻机基础上实现的技术突破 。
更重要的还意味着现在已经是、接下来更是不那么依赖ASML公司的EUV光刻机了 。订下的那台到货与否变得不那么重要了,这个突破是不是更为重要?现在有了接近7nm,接下来若是达到5nm了呢?应该就是拥有了与台积电一般无二的技术,而到时候或者之前全自主国产光刻机出来了,尽管也是低端的,对华为又意味着什么?说不定华为的转机将早日到来 。
3中芯国际一定会致力于也应该能够快速实现“全自主国产”
这几乎也是不容置疑的 。
已知中芯国际已经是双重受限或者叫内外受限 。外,别人对自己部分断供;内,自己对华为全部断供,难受得很哩 。
中芯国际绝不会甘愿如此窝囊、憋屈 。作为全球第五和中国第一的芯片制造强企,一定会奋起突破这种局面,不止在技术上致力于突破,包括借助外人的技术与设备实现节节高,而且在国产上致力于突破,包括与芯动科技等国内企业实施强强联合,以最终摒除美国技术和放弃含有美国技术的设备,也就是移走横亘在与华为之间的那座大山 。对此,我绝不怀疑,中芯国际一定是华为高端芯片重回华为高端手机的主要指望,中芯国际技术实力相对强则会实现相对的快速全自主国产 。

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