Apple 苹果进军氮化镓快充,这17家芯片原厂已经提前做好准备( 六 )
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Power Integrations 是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商,总部位于美国硅谷 。其推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源 。
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PI是较早布局氮化镓快充电源芯片的厂商,同时也是首家量产合封氮化镓电源芯片的厂商 。PI氮化镓快充芯片以高度集成著称,内置PWM主控、GaN开关管、同步整流控制器等多种功能 。目前高集成、高性能PowiGaN电源芯片已被已被小米、OPPO、ANKER、绿联、belkin等多个品牌的快充产品采用 。
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同时,面对大功率、高密度需求带来的产品设计挑战,PI还推出了MinE-CAP系列解决方案 。这也是最新推出的PowiGaN IC,通过高耐压电容和低耐电容的搭配使用,可以将原有传统设计中大电容的尺寸减小50%左右,为超小型电源设计带来了全新的方法 。
Reactor-Micro亚成微
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亚成微电子成立于2006年,是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,国家高新技术企业 。拥有由多名科学家带领的国际领先技术水平的设计团队,主要产品包括通信设备用关键核心芯片ET-PA、手机/平板/笔记本电脑快充用AC-DC电源管理芯片以及照明产品用线性LED驱动芯片 。目前,亚成微分别基于ZVS架构和QR架构推出了氮化镓直驱控制器 。
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亚成微 RM6601SN是一款高性能高可靠性电流控制PWM控制器,全电压范围内待机功耗小于65mW,满足六级能效标准,并且支持CCM/QR混合模式 。
亚成微RM6601SN集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频 130KHz 的 PWM 模式下,在低压输入时会进入 CCM 模式;在重载情况下,系统工作在QR模式,以降低开关损耗,同时结合 PFM工作模式提高系统效率;RM6601SN 采用专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,提高产品效率及功率密度,简化EMI滤波电路设计,降低EMI器件成本,完美应用于大功率快速充电器 。
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亚成微RM6801SN是一款E-Mode GaN FET直驱控制ZVS反激芯片,这也是国内首个直驱氮化镓功率器件ZVS反激控制器,填补了国内空白 。同时这也是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片,内置700V高压启动、X-cap放电、可调交流输入Brown in/out等功能,工作频率高达130KHz,全电压范围内待机功耗小于65mW,满足六级能效标准;并且支持CCM/QR混合模式以及拥有完备的各种保护功能,专有ZVS技术降低GaNFET开关损耗,改善EMI特性 。
亚成微RM6801SN采用专有驱动技术,直驱E-MODE GaN功率器件,提高产品效率及功率密度,简化EMI滤波电路设计,降低EMI器件成本,可以应用于大功率快速充电器 。
SOUTHCHIP南芯半导体
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上海南芯半导体科技有限公司作为中国电源界的一颗新星,上海南芯推出了中国首颗全系列升降压电池电源解决方案,在该领域与凌特、TI等老牌大厂同台竞技,成为中国芯的骄傲 。随着氮化镓快充市场持续升温,南芯半导体也积极地布局了氮化镓主控芯片SC3021x系列,采用QR架构,并可以直驱氮化镓功率器件,简化设计 。南芯半导也基于其氮化镓主控芯片开发了诸多经典的参考设计 。
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南芯SC3021A最高支持170KHz工作频率,适用于绕线式变压器,可搭配RM8(LM8)绕线式变压器 。南芯SC3021A满足各类高频QR快充需求,采用专有的GaN直驱设计,省去外置驱动器或者分立驱动器件;集成分段式供电模式,单绕组供电,无需复杂的供电电路;内置高压启动及交流输入Brown In/Out功能,集成了X-cap放电功能 。
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基于南芯SC3021A+SC3503+SC2151A方案开发的65W单口绕线变压器氮化镓快充方案,PCB板尺寸可做到54*30*23mm,功率密度达1.7W/cm3,具有BOM极简、高性价比、高功率密度等特点 。并且支持PD、PPS、AFC、FCP、SCP、VOOC等快充协议,具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A和3A PPS电压档位 。
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