Apple 苹果进军氮化镓快充,这17家芯片原厂已经提前做好准备( 四 )
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美思MX6535是国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控制芯片 。其可以实现精准的多级恒压和多级恒流调节,而无需传统的二次电流反馈电路;采用美思第二代Smart-Feedback技术,它不仅消除了传统电源的电压电流反馈电路补偿网络的需要,并能在所有操作条件下宽范围输出时(3.3V~20V)保持系统稳定性 。
同时,具备全面的保护功能和故障解除系统自动恢复功能,包括逐周期电流限制、不同输出电压自适应的过电压保护、反馈回路开路保护、芯片内外部OTP功能等 。
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MX6535与同样出自美思半导体集成同步整流的二次侧快充协议SOC控制器搭配设计,能非常方便的实现18W~100W的USB PD或者QC小体积的快充电源设计,内部先进的数字控制系统可根据手机的输出能力请求实现快速平稳的电压和功率转换 。
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美思迪赛MX6535搭配自家的次级芯片可以实现超精简超高集成度的设计,在开发65W氮化镓快充产品时,只需一块PCB就能完成紧凑的结构设计,且整块PCB板尺寸仅两枚硬币大小 。这一方面得益于MX6535内置了氮化镓驱动,并消除了传统的二次反馈电路;另一方面也得益于次级芯片内置同步整流控制器和协议识别,并通过数字算法把传统初次级电压及电流RC环路补偿网络直接省去 。
MPS
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针对大功率、高密度氮化镓快充市场,MPS推出高集成度的合封控制芯片HR1211,将PFC控制器和LLC控制器整合到一个封装里面,其数字内核并可根据负载情况进行联动控制,获得更高的轻载效率 。
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HR1211在重负载下,CCM模式可降低MOS管的峰值电流;轻负载下,DCM模式可降低开关频率从而提高效率 。数字编程的Burst模式,可提升轻载效率和降低音频可闻噪声 。HR1211采用电流模式控制的LLC级,可实现高稳定性和快速响应 。根据不同的负载条件,芯片在连续,跳周期和Burst模式运行 。可在不同的负载条件下独立优化效率 。
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HR1211采用数字控制内核,芯片内置多个独立的ADC用于检测输入电压,PFC输出电压,LLC反馈电压和PFC峰值开关电流 。检测数值送到HR1211内置的数字控制内核进行比较,配合芯片内专有的数字算法,进行实时反馈控制 。HR1211支持多种完善的保护措施,如热关断、PFC开环保护、过压保护、过流限制和过流保护、超功率保护等多重保护 。值得一提的是,HR1211空载待机功耗<100mW 。
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此外,MPS还推出单芯片初次级合封氮化镓快充控制器MPX2003,创新性的将初次级控制器合封在一颗芯片内,大大简化了外围电路设计,为实现快充电源的小型化提供了全新的思路 。
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MPX2003多合一反激控制器支持高达4.5kVac的隔离,全部产品经过测试 。支持CCM&QR多模式工作,空载功耗低于30mW,在任何工作状态下都可提供可靠的同步整流,具备完整的保护特性,并提供SOICW16和SOICW16T封装 。
MERAKI INTEGRATED茂睿芯
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茂睿芯科技拥有极强的模拟芯片开发团队,已经成功开发120V 180nm的BCD工艺和高速功率驱动两大自主知识产权技术平台 。在国内领先的先进技术平台基础上,迅速开发出的10nS 关断延时CCM 同步整流控制器系列、120V 半桥驱动芯片、110V DC/DC 变换器,28V高速驱动芯片,性能均为业内技术领先 。
近日,茂睿芯推出了采用SOT23-6极小封装的高频QR氮化镓快充控制器MK2697G,该芯片具有110V Vcc 耐压,支持3.3V-20V Vout,无需外部稳压电路;直驱GaN,外围简洁;采用专利软驱技术,副边MOSFET应力低;支持1MHz开关频率 。
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茂睿芯量产发布的高精简低成本65W GaN快充方案,具有小体积、高效率的优势 。原边PWM控制芯片MK2697G,Vcc 耐压110V,无需外部稳压电路,采用专利驱动技术,直驱GaN功率器件,有效的提高了产品效率及功率密度;搭配业界超短关断延时SR MK91808H,可选用更低耐压等级的同步整流MOSFET,获得更低的BOM成本 。
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