产品|可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%

观察者网·大橘财经讯(文/吕栋 编辑/尹哲)在集成电路制造领域 , 光刻机被称为是推动制程技术进步的“引擎” , 而光刻胶就是“燃料” 。
未来几年 , 随着中芯国际、长江存储、长鑫存储等晶圆厂进入产能扩张期 , 高端光刻胶的国产化替代迎来重要窗口 。
12月17日晚间 , 南大光电公告披露 , 其控股子公司宁波南大光电材料有限公司(下称:宁波南大光电)自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户使用认证 , 可用于90nm-14nm甚至7nm技术节点 。
“本次产品的认证通过 , 标志着‘ArF光刻胶产品开发和产业化’项目取得关键性的突破 , 成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶 , 为全面完成项目目标奠定坚实的基础 。 ”公告中写道 。
南大光电内部人士今天在接受观察者网采访时透露 , ArF光刻胶生产线已建成 , 可根据客户需要量产 。
受上述消息影响 , 创业板上市的南大光电今天高开近14% , 最终收涨8% 。
不过 , 需要注意的是 , 截至今年上半年 , 光刻胶业务还未给南大光电贡献营收 。 该公司坦言 , ArF光刻胶存在稳定量产周期长、风险大等特点 , 后续是否能取得下游客户订单存在较多不确定性 。
最近三年 , 南大光电净利润增速骤降 , 2019年扣非净利润仅为上市前的五分之一 。

产品|可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%
文章图片

公告截图
量产阶段仍存诸多风险
观察者网梳理相关资料发现 , 光刻胶是一种对光敏感的混合液体 , 可以通过光化学反应 , 经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上 。
依据使用场景 , 待加工基片可以是集成电路材料、显示面板材料或者印刷电路板(PCB) 。
因此 , 按应用领域分类 , 光刻胶又可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶 。 目前 , 国产光刻胶以PCB用光刻胶为主 , 显示面板、半导体用光刻胶供应量占比极低 。

产品|可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%
文章图片

浙商证券2020年4月研报截图
作为技术难度最大的光刻胶品种 , 半导体光刻胶也是国产与国际先进水平差距最大的一类 。
长时间以来 , 为满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求 , 光刻设备不断通过缩短曝光波长的方式 , 提高极限分辨率 。
目前 , 光刻胶波长由紫外宽谱逐步缩短至g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm) , 以及最先进的EUV(<13.5nm)线水平 。
本次南大光电通过客户认证的ArF光刻胶 , 就属于高端半导体用光刻胶 。

产品|可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%
文章图片

国元证券2019年1月研报截图
南大光电表示 , ArF光刻胶材料可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺 , 广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等) 。
认证评估报告显示 , “本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证 , 宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求 , 良率结果达标 。 ”
南大光电认为 , 本次通过客户认证的产业化意义大 。
“本次验证使用的50nm闪存技术平台 , 在特征尺寸上 , 线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求 , 孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求 , 该工艺平台的光刻胶在业界有代表性 。 ”公告中称 。
至于为何选在50nm闪存产线验证 , 南大光电内部人士向观察者网表示 , 该公司产品分别在不同客户处验证 , 有逻辑有存储的 。 因为存储的先通过 , 就先公告 , 其他的还在努力中 。
不过 , 该人士并未向观察者网透露 , 公告中的客户是国内或者国外厂商 。

产品|可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%
文章图片

IC光刻流程图
目前 , 全球光刻胶市场基本被美日大型企业垄断 , 中国大陆内资企业所占市场份额不足10% 。
2019年 , 日韩贸易争端中 , 日本就曾通过禁运光刻胶对整个韩国半导体行业造成打击 。
为支持国内企业加大光刻胶开发力度 , 2000年以来 , 我国出台多项政策支持半导体行业发展 。
2006年 , 国务院在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中提出《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目 , 因次序排在所列16个重大专项第二位 , 在业内被称为“02专项” 。
公告显示 , “ArF光刻胶产品开发和产业化”就是南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目 。
券商统计的信息显示 , 南大光电2017年承接的ArF光刻胶项目总投资额为6.6亿元 , 其中国拨资金1.9亿万元 , 地方配套资金1.97亿元 , 使用上市时的超募资金1.5亿元及其他自筹资金 。
该项目拟通过3年达到年产25吨ArF干式和浸没式光刻胶产品的生产规模 , 预计达产后年销售收入平均为1.48亿元 , 实现净利润0.6亿元 , 投资回收期6.8年(包含3年建设期) , 内部报酬率为18% 。
截至今年上半年 , 光刻胶业务尚未给南大光电贡献营收 。
该公司在公告中表示 , ArF光刻胶产品与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中 。
“尤其是ArF光刻胶的复杂性决定其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险 , 不仅需要技术攻关 , 还需要在应用中进行工艺的改进、完善 , 这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益 。 ”

产品|可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%
文章图片

【产品|可用于7nm芯片光刻胶通过客户验证,南大光电巨量收涨8%】深交所互动易截图

    推荐阅读