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电源|导入行业领先技术，金泰克DDR5内存蓄势待发

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2021是DDR内存技术升级换代的裂变时代 ， 也被称为DDR5商用元年 。 自JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后 ， 国内外各大模组厂商竞速开启探索模式并布局DDR5 。

电源|导入行业领先技术，金泰克DDR5内存蓄势待发
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采访人员了解到 ， 作为国内半导体存储企业 ， 金泰克为满足行业客户及广大用户对DDR5产品应用的期待 ， 以及为存储行业应用提供更多可能性 ， 金泰克也将于近日正式发售DDR5内存产品 。 金泰克DDR5内存产品的面世 ， 为对设备性能有刚需的行业带来了更多可能 ， 同时也为终端用户带来更流畅的产品体验 。
DDR3到DDR4的小进步花了五年；DDR4从2012年发布第一版到2021年的DDR5 ， 用了整整十年 。 俗话说“十年磨一剑” ， 相较于DDR4,DDR5又有哪些特点和产品优势呢？今天我们就一探究竟 。
产品特性

电源|导入行业领先技术，金泰克DDR5内存蓄势待发
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（DDR5和DDR4对比）
大容量：
DDR4为4Gb的单片芯片密度 ， 而DDR5的内存颗粒容量会从16Gb起跳 ， 最大可达64Gb ， 16Gb容量意味着单颗芯片就有2GB容量 ， 内存单条单面容量轻松做到16GB ， 单条双面容量做到32GB ， 如果使用单颗64Gb芯片 ， 那么就会有单条容量128GB的DDR5内存出现 。
高速率：
DDR5从3.2Gbps起跳 ， 到6.6Gbps ， 起点即是DDR4的速度峰值 。 DDR5最高可扩展到8.4Gbps ， 预取数据能力从DDR4的8n上升为 16n 。
低能耗：
采用最新工艺DDR5的VPP降低到 1.8V ， VDDQ和VDD降低到1.1V ， 功耗整体下降 ， 性能提升了85% 。 这是几代DDR电压总线以来下降比例最少的一次 ， 说明其对电源完整性和信号完整性的设计要求越来越严苛 。
产品优势：
· 端到端接收模式的强化 ， 信号传输更纯净
在DDR5新技术应用中除了DQ/DQS/DM继续采用ODT功能 ， 增加CA、CS类信号也使用了ODT ， 采用片内终结 。
· 全新的PMIC电源架构 ， 采用VDD/VDDQ/VPP/VDDSPD/VIO供电
DDR5的供电模块也从系统主机板移到了DDR5内存条上 。 该功能模块（PMIC）4.5V-5.5V输入 ， 输出VPP 1.8V ， VDD 1.1V ， VDDQ 1.1V ， VDDSPD 1.8V ， VIO 1.0V ， 更近的电源芯片带来更好的电源布局和更短的电源传输路径 。 电源管理芯片通过I2C/I3C协议配置 ， 调节电源纹波、电压和上下电时序 ， 达到更稳定和更加省电的效果 。
· 新增On-die ECC,增强DRAM颗粒本身的RAS ， 优化DRAM的稳定性
也就是说Non-ECC UDIMM=8颗内置On-die ECC的DRAM颗粒, ECC UDIMM=8颗内置On-die ECC的DRAM颗粒 + 2颗DRAM颗粒用作ECC ， 这样就进一步优化了DRAM稳定性 。

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