竞争|业内称三星3nm GAA存在漏电等关键技术问题

【竞争|业内称三星3nm GAA存在漏电等关键技术问题】稿源:集微网
据业内人士透露 , 三星电子的3nm GAA工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题 , 消息人士称 , 该工艺在性能和成本方面可能也不如台积电的3nm FinFET工艺 。 据《电子时报》报道 , 上述人士表示 , 三星可能最早于2022年将其3nm GAA工艺量产 。
但由于成本高和性能不理想 , 可能无法吸引到台积电3nm FinFET工艺所获得的客户 , 后者据称已经获得了苹果和英特尔的订单 。

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台积电有望在2022年下半年将其3nm FinFET工艺推向量产 , CEO魏哲家在最近的财报会议上表示 , “N3将是我们N5的另一个全面扩展 , 并将采用FinFET晶体管结构 , 为我们的客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本 。 ”
在失去苹果iPhone处理器订单后 , 三星在尖端芯片竞争中落后于台积电 。 据市场观察人士称 , 从苹果手中夺回订单将是这家韩国供应商赢得3nm竞争的关键 。

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