英诺|全球领先氮化镓IDM企业发力,33W GaN快充迅速上量

2021年初便有媒体报道称苹果将在今年推出氮化镓快充充电器 。 而就在近期 , 业界也有越来越多的声音指出 , 30W GaN快充将成为苹果入局氮化镓快充的首款作品 。 据了解 , 目前业内已有多家厂商开始提前布局该条产品线 。 作为全球领先的氮化镓IDM企业 , 英诺赛科也在该功率段重点发力 , 带来了让人眼前一亮的产品 。
英诺赛科发布33W氮化镓快充

英诺|全球领先氮化镓IDM企业发力,33W GaN快充迅速上量
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在刚刚结束的「2021(春季)USB PD&Type-C亚洲展」上 , 英诺赛科副总经理陈钰林先生为大家带来了《Inno GaN 引领“芯”未来》主题演讲 , 并发布了英诺赛科的2021年度重点产品:33W氮化镓快充 。

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据陈钰林先生分析 , 苹果公司目前已经在布局氮化镓快充 , 而30W则极有可能成为苹果首款氮化镓产品 。 为了迎接苹果30W氮化镓快充带来的下一个市场风口 , 英诺赛科专门推出了InnoGaN系列第二代新品INN650DA04 , 并基于该新品开发出一款尺寸仅苹果5W充电器大小的33W超迷你氮化镓快充参考设计 。

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外型小巧是该方案的一大特色 , 其内部电路设计更是十分精简 , 通过图片可见 , 该方案仅仅只用两块PCB板就实现了全部功能 , 让人眼前一亮 。 并且完全实现了核心技术的自主可控 , 供货稳定 。

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值得一提的是 , 这款参考设计不仅满足最大33W快充输出 , 而且在温升和EMI等方面也已符合安规要求 , 解决了快充电源厂商在产品开发过程中的两大难点 , 可以帮助客户加速产品量产 , 抢占市场 。
33W快充专用InnoGaN快速上量
虽然距离苹果2021年新品发布会还有半年之久 , 但其即将推出30W氮化镓快充的消息已经不胫而走 , 尤其是近期在业界广为流传 , 多家快充芯片、快充变压器、快充电源厂商及方案商纷纷表示 , 正在积极地着手布局30W快充产品线 。 30W氮化镓快充更是有望在苹果的带动下 , 成为20W快充市场的继承者 , 前景可观 。

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不过由于功率的提升 , 传统的内置MOS电源芯片方案大都无法满足应用需求 , 分立器件方案成为首选 。 但如果选用传统的硅MOS作为主开关管需要面临着两大难题 , 一是效率较低发热较大 , 无法实现紧凑的设计;二是自2020年下半年以来 , 受到缺货风波的持续影响 , 功率半导体的价格以及供货也变得十分不稳定 。

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作为一家全球领先的氮化镓IDM企业 , 英诺赛科自建有技术领先8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线 , 涵盖30V到650V全电压产品;其苏州FaB基地也将于今年6月通线投产 , 满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片 。
英诺赛科第二代InnoGaN产品INN650DA04的推出 , 将在一定程度上缓解了快充产业链紧张的供求关系 。 此外充电头网还了解到 , 英诺赛科对该新品采取了战略性定价 , 十分具有市场竞争力 。

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英诺赛科向充电头网透露 , INN650DA04一经推出便获得众多电源厂商青睐 , 目前累计订单已经突破2kk , 并不断有新客户陆续下单 。 苹果30W氮化镓快充一旦面世 , 预计该款氮化镓器件的每月订单量将直奔5kk , 成为2021年下半年功率器件领域的现象级爆款 。
InnoGaN优势分析
充电头网了解到 , 英诺赛科InnoGaN系列第二代新品INN650DA04具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点 , 同时采用DFN5*6进行封装 , 有助于电源工程师实现产品的高效率和小体积 。

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效率方面 , 英诺赛科33W氮化镓快充方案无论是在90ac、115Vac输入还是230Vac、264Vac输入 , 其效率均在92%以上 , 相比目前市面上主流的20W硅方案 , 效率提升3个百分点 。 高效率带来的低发热 , 为实现小体积、高功率密度产品设计保驾护航 。

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得益于InnoGaN的高效率特性 , 实际应用中可以省掉散热片 , 从而实现小尺寸的紧凑型氮化镓快充方案 。 目前英诺赛科33W氮化镓快充方案在体积方面已有了巨大突破 , PCB尺寸仅为26mm*26mm*26mm , 功率密度可达1.88W/cm3 , 相当于苹果现有20W硅MOS快充方案的2倍以上 。
充电头网总结
最近行业中流传着这样一句话:上半年看20W , 下半年看30W 。
看似简单的几个字却透露出快充电源行业的市场趋势 。 不过相比20W快充而言 , 30W快充在小型化、温度、安规等方面的挑战更大 , 也对快充电源工程师提出了更高的要求 。
针对这一行业痛点 , 英诺赛科开始发力 , 凭借全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线及先进的研发品控分析能力 , InnoGaN系列在整体性能、成本、产能等方面均得到很好的把控 。
英诺赛科InnoGaN不仅在实现高效率和小尺寸方面明显优于传统硅MOS方案 , 而且在价格方面也具有极大优势 , 并有供货稳定的特点 。 搭配简洁的设计和布局 , 轻松实现33W迷你氮化镓快充产品的开发 , 并大幅降低了系统成本与生产成本 , 可谓是性价比超高 。
【英诺|全球领先氮化镓IDM企业发力,33W GaN快充迅速上量】如果说20W快充是内置MOS电源芯片的主场 , 那么未来的30W氮化镓快充市场必将成为InnoGaN大显身手的舞台 , 值得期待!

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