美光今天宣布 ， 已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片 ， 这也是迄今为止最先进的DRAM工艺 ， 可明显提升容量密度、性能并降低功耗 。 不同于CPU、GPU等新品 ， DRAM内存、NAND闪存的工艺节点都不使用明确的数字 ， 而是1x、1y、1z、1α等等 ， 越往后越先进 ， 或者说1xnm比较接近20nm ， 1αnm则更接近10nm 。
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【容量|美光全球首创1αnm内存工艺：LPDDR5容量密度大涨40％】美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片 ， 尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5 ， 相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40％ ， 同时还能让功耗降低15％ ， 能让5G手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久 。
DDR4、LPDDR4甚至是未来的DDR5 ， 同样都能使用这种新工艺 ， 并支持智能手机、笔记本、台式机、服务器、嵌入式等各种应用设备 。
美光台湾晶圆厂已经开始量产并出货1αnm DRAM内存芯片 ， 首批是DDR4内存条 ， 隶属于Crucial英睿达品牌 ， 还在试产和评估LPDDR4 ， 后续会用于更多内存类型 。
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