【半导体|韩国展示具有高速、超低功耗的CMOS兼容3-D铁电存储器】[据物理学组织网站2021年1月19日报道]近日 ， 韩国浦项科技大学材料科学与工程系李章植教授领导的研究团队展示了一种CMOS兼容的3-D铁电存储器 ， 其运行速度、功耗和可靠性均超过传统闪存 。 目前 ， 应用最广泛的NAND闪存存在着功耗高、运行速度慢、重用易损等缺陷 ， 铁电存储器相对具有更高速度和更低功耗 ， 但因其加工温度高、不易扩展、与传统半导体工艺不兼容等原因 ， 商业化进程受阻 。 浦项科技大学研究人员利用基于二氧化铪的铁电体和氧化物半导体解决了这些问题 。 二氧化铪材料和结构保证了低功耗和高速度；采用氧化物半导体作为沟道材料 ， 可降低工艺温度 ， 抑制多余界面层的形成 ， 实现高稳定性 。 研究人员证实 ， 所制作的存储器件可在比传统闪存低4倍的电压下、以快几百倍的速度工作 ， 即使重复使用超过1亿次 ， 也能保持稳定 。 这种高性能存储器可在400°C下制造 ， 且工艺比传统闪存简单得多 。 该技术不仅适用于下一代存储器 ， 也适用于超低功耗、超高速、高度集成的通用内存和内存计算 ， 对未来人工智能和自动驾驶汽车等行业至关重要 。 （国家工业信息安全发展研究中心党亚娟）
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