硬件|CES 2021：群联发布U17/U18桥接和E21T入门级NVMe SSD主控_CES|2021：群联发布U17

CES 2021 消费电子展期间，群联（Phison）发布了自家 SSD 主控产品线的例行更新。除了 U17 / U18 这两款支持 USB 3.2 的移动硬盘桥接芯片，还有 E21T 这款入门级 NVMe SSD 主控。显然，群联希望通过该系列主控新品，为固态硬盘制造商提供极具竞争力的解决方案。与此同时，该公司还计划在今年晚些时候推出新款入门级无 DRAM 缓存的 NVMe SSD 主控。

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（来自：AnandTech）
首先介绍面向移动固态硬盘市场的 U17 主控，其支持 10Gbps 的 USB 3.2 Gen 2 主机接口，以及运行速度高达 1200 MT/s 的双通道 NAND 闪存。
然后是功能翻倍的 U18 主控，其支持 20Gbps 的 USB 3.2 Gen 2×2 主机接口、四通道 NAND 闪存、以及 TCG Opal 加密方案。

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尽管性能较 NVMe + USB 桥接方案略逊一筹，但其对于移动固态硬盘市场已经相当足够，此外具有能效、成本、以及体型方面的显著优势。
群联计划本月晚些时候完成 U17 / U18 这两款主控的检定工作，之后将很快向下游厂商公布参考设计方案和性能预览，零售产品则有望于未来几个月内亮相。

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接着是 E21T ，作为一款入门级 NVMe SSD 主控，其制程从 28nm 升级到了 12nm、采用了无 DRAM 缓存的设计，旨在接任此前的 E19T 主控（在零售消费类 SSD 产品中使用甚少 / 但 OEM 需求相当强劲）。
与 E19T 相比， E21T 的性能和功耗表现均有大约 25% 的提升。但基本架构没有太大的变化，依然是单个 ARM 内核 + 群联专有的协处理器方案，支持 4 通道 NAND 闪存管理。

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群联计划今年 6 月开始向客户提供 E21T 主控样品，并于 4 季度开始量产，届时我们有望见到大量流行的笔记本 OEM 产品升级到 PCIe 4.0 NVMe SSD。
大多数产品或许会搭配 QLC 闪存，比如美光的 176 层 3D NAND ，且无 DRAM 缓存的设计可将 PCIe 4.0 NVMe SSD 的成本整体制造成本进一步拉低。

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对于少数已开始交付 8TB QLC SSD 的厂家来说， 4TB 或许是当前一个比较尴尬的限制。市售 8TB M.2 SSD 大多采用了群联 E12 主控方案，但新款 PCIe 4.0 主控产品线缺少像 E12S 这样的小型封装的衍生版本。
AnandTech 预计，后续 8TB PCIe 4.0 SSD 或需要在每颗闪存中堆叠 16 组，才能突破 NAND 的封装极限、为 E16 / E18 主控和 DRAM 缓存留下足够的 PCB 空间。
高端 NVMe SSD 主控方面，群联的 E18 已于 2020 下半年开始出货。公司称其为迄今为止唯一读写速度达到 7 GB/s 以上的产品，并且计划让它站好旗舰 PCIe 4.0 主控的最后一班岗。
在这之后，群联将把重心放到 PCIe 5.0 上，因而 E18 可能在旗舰 PCIe 4.0 主控市场持续征战两年，辅以固件等方面的更精细优化。
【硬件|CES 2021：群联发布U17/U18桥接和E21T入门级NVMe SSD主控】至于更早的 E13T 主控，其早已在低成本、低功耗的入门级 NVMe 市场得到了广泛的应用。尤其是与 BGA SSD 产品线的集成，使之特别适合搭配 Chromebook 上网本、平板电脑、以及某些智能机的 eMMC 闪存使用。
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