云南大学突破芯片新材料，比台积电1nm材料更先进
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关于芯片新材料，云南大学取得突破
芯片制程工艺不断突破，以台积电为例，作为全球最大的芯片制造商，对芯片制造技术的把控程度也是非常高的 。目前台积电已经实现5nm工艺的量产，而且未来数年还将掌握4nm，3nm的量产技术 。
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台积电并没有停止脚步，还在探索更尖端的1nm 。台积电联合台大，麻省理工宣布，实现了1nm的研究突破，通过半金属铋 Bi元素，已经接触到了量子极限效能，有望用于1nm制程芯片的打造 。
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台积电在1nm芯片材料上的研发已经是天花板了，但是云南大学突破芯片新材料，比台积电的1nm材料还要先进 。
经由云南大学材料与能源学院团队的研发，在硫化铂光电特性研究领域获得了新的突破 。在类石墨烯和结构，物理性能提供更优的解决方案，解决了诸多难题 。
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在半导体材料领域，有研究人士通过石墨烯来实现对碳基芯片的探索 。但是石墨烯也存在光吸收率低，零带隙等问题 。恰好这些问题可以靠类石墨烯硫化铂得到解决，让半导体材料领域的实际运用有了更广阔的前景 。
关于芯片新材料，云南大学取得了突破，为中国半导体探索更多的出路 。
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硫化铂半导体材料突破的意义
简单来说，硫化铂是对石墨烯晶圆缺陷的一种补充，在硅基芯片面临摩尔定律极限的情况下，石墨烯所研制的碳基芯片有更好的表现 。中国研究人员成功打造出8英寸石墨烯晶圆，有望实现在传统硅基芯片路线外的换道超车 。
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可是石墨烯硅基芯片并未完美无缺，而这时候云南大学所研究的硫化铂半导体材料就可以弥补石墨烯的缺点 。而且硫化铂半导体材料突破的意义也是十分重大的 。
比如促使摩尔定律时代的发展迈进 。不少业内人士普遍认为，芯片的物理极限即将到来，人类所掌握的工艺无法突破更高端的制程技术 。但是在更换硫化铂半导体材料后，结果可能要发生改变了 。
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石墨烯比硅材料更出色，而硫化铂性能表现还要比石墨烯更好，甚至超越台积电的1nm半金属铋 Bi 。这样的半导体材料可以使摩尔定律的极限再次延长，为摩尔定律时代的发展起到促进作用 。
另外也让中国半导体有望突破更高端的制程技术，探索研究更先进的芯片领域，取得一系列创新突破成就 。这些都是硫化铂研究突破的重大意义 。
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中国半导体大有作为
中国芯片正在尝试更多的发展路线，如果是从硅基芯片出发，国外已经有了领先十几年的技术积累，就连硅材料也是国外率先发现并提取的 。大量的底层核心专利技术掌握在国外手中，几乎不可避免 。
所以能够从材料出发，积累自主技术，那么中国半导体将大有作为 。中国已经在石墨烯，硫化铂等芯片材料上取得研究进展，众多技术难题都在攻克，
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短期来看，可能无法彻底改变国产半导体的局势，但对于未来而言，现在的技术积累，创新突破就是将来翻盘的机会 。如果没有付出，怎么取得回报 。哪怕需要5年，10年才能看到实际成果，只要能成功，一切等待都是值得的 。
谁也不希望看到国产芯片再次被国外卡脖子，只要涉及到美国技术的产品，都无法顺利向国内出货 。
可见国外对技术的掌控有多么广泛，正因如此才需要积累更多自主可控的技术，早日突破国外技术封锁 。
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总结
云南大学迈出了重要一步，希望国内越来越多的企业，高校都能参与进来，帮助国产半导体取得一番作为 。
我们在高端芯片市场的话语权还有待提升，要从半导体材料等基础领域开始研究，才能建立起自主的产业链 。等将来硫化铂实现广泛运用，中国芯将未来可期 。
对硫化铂半导体材料的突破你有什么看法呢？
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