以目前的投入，国产光刻机还需要多久才能追上目前国际主流？
我认为10年之内是追不上的，至于10年之后，那就谁知道呢
一、目前的差距有多大
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先上图，目前ASML的技术是7nm/5nm，中国的技术是最后那一个，90nm，不要谈什么国内能产10nm光刻机，那都是假的，实验室的，离量产还10万8千里呢 。
而90nm的光刻机，ASML在10多年前就可以生产了，所以这个差距至少是10年以上 。
二、差距体现在哪里
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那么差距差距体现在哪里？光刻机的原理其实就是放大的单反，光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上，形成图形，其中最核心的就是镜头 。
其次就是分辨率，光刻机的分辨率是光刻机最重要的技术指标之一，决定了光刻机能够被应用于的工艺节点水平 。
最后是套刻精度，也就是指前后两道光刻工序之间彼此图形的对准精度，如果对准的偏差过大，就会直接影响产品的良率 。
镜头假设能买到的话，后续的分辨率、套刻精度需要大量的经验才能够提高，而中国人才缺少，经验不足，是制约光刻机发展的重要原因之一 。
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三、这些差距怎么才能追上来
目前我国生产出来的光刻机处于低端，只能生产90nm的芯片，而在90nm之后，还有65nm，45nm，32nm，22nm，14nm，10nm，7nm，5nm 。
而这些节点技术，有好几个台阶要上，首先是45nm的以阶，再到22nm的台阶，再到10nm台阶，再到7nm的台阶，真的是一步一个坎，有些坎几年都未必能够更新出一代来 。
所以我们不仅一方面是要资金投入，另外就是培养众多的技术人才，积累经验才行的 。
其他网友观点最近刚好写了一些关于光刻机的文章，比较合适回答一下这个问题 。
先说我的看法，假设我们以目前最先进的EUV光刻机为目标，如果以举国之力来做的话，10年内我们可能有机会做出来，如果光靠目前的一些企业（例如SMEE）来做的话，很长一段时间都没有希望
原因如下:
第一: ASML从第一台EUV概念机（2006年左右）到第一台量产型EUV光刻机（2016年左右），就花了差不多10年 。
第二:虽然相比15年之前，很多之前EUV相关的问题现在已经有了解决方案，但是还有更多秘而不宣的技术秘密以及各种坑我们不得不去排雷和克服
第三:由于瓦森纳协定的限制，不关EUV光刻机不能进口，很多相关的零部件也是被严格管控的，这部分要突破封锁需要时间
但是我们国家也有优势，具有全世界最强大的供应链和生产能力，有世界上最多的工程师群体，如果再有强大而且系统的组织，我相信我们可以做到
大家看看下面光刻机的历史发展，也基本是以10年为一个阶段……
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其他网友观点很难追上主流 。
ASML是独角兽，而且是举全世界顶尖龙头企业之力，才引流主流光刻机技术 。德国镜头，美国激光，都是专门配合ASML研发的 。
中国要靠一己之力，攻克所有技术，难度很大 。
人才是第一要素 。中芯国际从三星挖来了梁孟松，一下子把量产技术提高到16nm，但是光刻机还是进口的 。
目前世界顶级集成电路生产商台积电和三星，都造不了光刻机，但他们都是ASML的股东，所以都是顶级阵营的 。
【以目前的投入，国产光刻机还需要多久才能追上目前国际主流？】希望能早日看到中国能造出光刻机的一天 。
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