TSMC 1nm以下制程获得重大突破 摩尔定律的“续命丹”来了？
虽然“摩尔定律接近尾声”的声音不绝于耳，但IC业界对于更先进工艺制程的研究突破却持续在为其“续命” 。继IBM宣称试产2nm芯片还没“上头条”太久，台积电便联合台大、麻省理工宣布研发出一种新型半导体材料——半金属铋，在1nm以下制程获得重大突破 。
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IBM的2nm与台积电的1nm有何不同？未来的摩尔定律还将“维系”多久？
殊途同归？
半个世纪以来，摩尔定律作为指引半导体业发展的“金科玉律”，一路高歌猛进 。从最初的数微米开始，数十年时间就已进阶到主流的7nm、5nm，而3nm亦即将量产 。而相继在2nm与1nm的突破，能否让摩尔定律再次“延期”？
细究起来，其实IBM和台积电路线不一，而效果是“殊途同归” 。
正如半导体行业人士陈穰所言，IBM的2nm试产是通过改进结构实现，而台积电的1nm更多是采用新材料改进了互联接触点 。
从结构来看，随着特征尺寸的不断缩小，栅极对于沟道的控制能力减弱，则必须引入新的器件结构以满足晶体管的要求 。
工艺的进阶历程也可看到这一趋势：平面工艺晶体管的特征尺寸缩小过程持续了数十年，之后难以为继；到了2013年下半年16/14nm节点正式引入FinFET，然而FinFET仅仅维持了10年不到，2020年左右的3nm节点就有可能已转入GAA，三星已推出了改良版环绕型晶体管结构MBCFET 。
需要指出的是，在平面器件中，沟道只有一面面对栅极；在FinFET工艺中，立体沟道三面都被栅极围绕；到了GAA，沟道由纳米线构成，而纳米线的四面都被栅极围绕，从而再度增强栅极对于沟道的控制能力 。
但GAA又能维持多久呢，答案恐难乐观 。有技术专家对此表示，目前来看GAA在3nm、2nm工艺被采用，但有可能就延续两代或两代半，到1nm时有可能转向采用CMOS结构的CFET 。
再次拉长时间来看，摩尔定律的终结看来仍无法逆转 。正如陈穰直言，尽管GAA等立体晶体管结构可为摩尔定律续命，但迟早有一天不断微缩的晶体管将逼近物理极限，特别是晶体管的特征尺寸——栅极宽度已经小到真的很难控制了，是不可能永无止境的 。
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解决发热是关键？
仔细审视，摩尔定律的核心是物理极限、散热和成本 。
“这其中关键点就是散热 。100亿个晶体管集成在小小的空间中，任何电流经过都不可避免地带来发热，晶体管数量翻倍带来的巨大发热量，导致芯片内部会变成一个大火炉，这个问题一直制约着晶体管数量的翻倍，可以说业内一直寻找各种各样的办法与发热做斗争 。”陈穰谈到 。
陈穰进一步介绍，发热来自两个部分，一是晶体管本身工作时带来的热量，第二是金属互联层带来的热量 。
因而业界一直两路并进 。陈穰分析，一方面在寻找各种性能更佳、可替代硅晶体管的材料 。另一方面就是寻找现有金属互联层的替代材料，包括阻挡层、接触点材料等 。
目前业内主流是认为碳纳米管技术是未来取代硅晶体管、可大幅降低功耗的可行性方案 。但陈穰提及，碳纳米管仍存在一系列设计、制造和功能上的问题，需要逐步加以克服，如果解决了各方面的技术难题，或许碳纳米晶体管有朝一日取代硅 。
金属互联层的作用是可将所有晶体管的源端、漏端、栅极链接起来，以统一控制各个晶体管进行工作，实现大规模高速运算 。对于降低金属互联层的发热问题，陈穰指出，这有两大改进方向，一是改变接触点材料，二是改进金属互联层以及外部阻挡层材料，两者目标都直指改进漏电、减少发热 。
台湾资深业界专家也认为，互联决定金属的特性及和硅共晶后的稳定性，在不同工艺节点所用的材料都不同 。因为半导体底层结构是硅，而上层相连的接线需要低阻抗、高导电金属等 。不同材料性质不同，可能无法共晶，也可能会腐蚀，故需要一种能同时和硅、铜等稳定形成共晶而且不会腐蚀的金属材料 。
如今，金属互联层已从6英寸制程的铝互联，进阶到8英寸的钨，到12英寸工艺则大量使用铜互联，14nm以下英特尔则开始尝试用钴 。而台积电宣布用“铋”材料来解决金属互联问题或在未来获得成功 。陈穰谈及，新材料的实用化还需不断探索，中间会有不小的难度，比如如何将铋沉积等需着力解决 。
但求新求变金属互联层，也不得不直面被颠覆的“命运” 。陈穰着重说，未来可能采用“光互联层”即硅光技术代替金属互联，以解决芯片内部互联问题 。因为光子不携带能量，因此其功耗相对于金属互联材料的万分之一都不到，好处不言而喻 。而且从更长远来看，光子计算或将替代硅晶体管，其算力将远超目前的传统芯片 。
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