硬件全新氮化镓芯片问世：33W快充专用体积仅5W大小( 二 ) 全新氮化镓芯片问世：33W快充

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得益于InnoGaN的高效率特性，实际应用中可以省掉散热片，从而实现小尺寸的紧凑型氮化镓快充方案。目前英诺赛科33W氮化镓快充方案在体积方面已有了巨大突破，PCB尺寸仅为26mm*26mm*26mm，功率密度可达1.88W/cm3，相当于苹果现有20W硅MOS快充方案的2倍以上。
总结
最近行业中流传着这样一句话：上半年看20W，下半年看30W 。
看似简单的几个字却透露出快充电源行业的市场趋势。不过相比20W快充而言，30W快充在小型化、温度、安规等方面的挑战更大，也对快充电源工程师提出了更高的要求。
针对这一行业痛点，英诺赛科开始发力，凭借全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线及先进的研发品控分析能力，InnoGaN系列在整体性能、成本、产能等方面均得到很好的把控。
英诺赛科InnoGaN不仅在实现高效率和小尺寸方面明显优于传统硅MOS方案，而且在价格方面也具有极大优势，并有供货稳定的特点。搭配简洁的设计和布局，轻松实现33W迷你氮化镓快充产品的开发，并大幅降低了系统成本与生产成本，可谓是性价比超高。
如果说20W快充是内置MOS电源芯片的主场，那么未来的30W氮化镓快充市场必将成为InnoGaN大显身手的舞台，值得期待！
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