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硬件 解密美光最新1α内存工艺 性能提升40%，与三星掰手腕( 二 )


同时，即使没有EUV，美光也承诺改善下一代内存设备的性能和功耗 。
“美光会在材料、工艺和设备上不断创新，以满足规模化的需求 。”Chandrasekaran说，“我们正在研发相关技术 。”
他还称EUV技术目前对美光并不是必需品，他们在多图案技术方面的专利和创新能够满足新技术下的性能和成本需求 。
美光认为，未来几年，由于EUV技术还处于DRAM生产的早期阶段，其带来的工艺改进将被设备成本和生产困难所抵消 。例如，美光最近展示的一张幻灯片表明，EUV技术成本过高，可扩展性优势忽略不计，关键尺寸（CD）均匀性不完美，而周期时间也并没有显着减少，因此目前EUV技术的生产效率仍然落后于DUV技术 。
硬件 解密美光最新1α内存工艺 性能提升40%，与三星掰手腕
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▲EUV技术可能在DRAM存储芯片生产上的时间节点
Naga Chandrasekaran称：“目前EUV技术在存储器方面的生产仍无法与先进的浸入式技术（immersion technology）相媲美 。EUV也不一定是规模化生产的关键因素，美光现有技术足以保证产品性能 。”
他还提到，虽然EUV技术正在进行改进，但其成本和性能仍落后于当前的生产模式 。不过未来三年内，EUV技术可能会在成本和性能方面取得必要的进展 。
所以美光也会一直推进对该技术的关注，并在符合要求的适当时间引入该技术 。
这种情况下，正在开发中的1β和1??工艺将不会使用任何EUV设备 。相反，该公司将继续使用现有生产技术，并指派其工程师设计在位密度、功耗和性能方面具有竞争力的DRAM器件 。
美光大约每年都会引进一种新的制程工艺，根据外媒推算，它的1??工艺将在2024年或更晚的时候推出 。这代表美光使用EUV技术可能落后全球最大内存制造商三星四年，这有利有弊 。
届时美光将使用成熟的EUV设备、镀膜和抗蚀剂 。相应的，它将不得不在没有用EUV技术进行大批量生产的经验时，跨多层使用EUV技术 。
结语：美光的保守态度可能出于成本考虑
美光作为全球最大的存储芯片厂商之一，它一定程度上代表了存储技术的进步趋势，因此其在技术上的突破意义重大 。
目前全球存储芯片市场垄断程度不断加剧，行业前三的龙头分别是三星、SK海力士和美光 。DRAM市场大部分由三星、SK海力士和美国美光三家占据，而NAND Flash市场几乎全部被三星、SK海力士、日本东芝、闪迪（SanDisk）、美光和英特尔等六家瓜分，其中三星居垄断地位 。
由于存储芯片的特殊性，它的设计相对简单，因此产品的线宽、产能、成品率与折旧是生产成本的核心 。在这种情况下，美光对EUV技术采取保守策略也是有相应现实意义的 。
来源：Tom’s Hardware
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