硬件氮化镓快充市场增速迅猛国产主控芯片实现自主可控( 二 ) 氮化镓快充市场增速迅猛|国产

SOUTHCHIP南芯

1、南芯SC3021A

南芯SC3021A最高支持170KHz工作频率，适用于绕线式变压器，可搭配RM8（LM8）绕线式变压器。南芯SC3021A满足各类高频QR快充需求，采用专有的GaN直驱设计，省去外置驱动器或者分立驱动器件；集成分段式供电模式，单绕组供电，无需复杂的供电电路；内置高压启动及交流输入Brown In/Out功能，集成了X-cap放电功能。

基于南芯SC3021A+SC3503+SC2151A方案开发的65W单口绕线变压器氮化镓快充方案，PCB板尺寸可做到54*30*23mm，功率密度达1.7W/cm3，具有BOM极简、高性价比、高功率密度等特点。并且支持PD、PPS、AFC、FCP、SCP、VOOC等快充协议，具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A和3A PPS电压档位。
2、南芯SC3021B

【硬件|氮化镓快充市场增速迅猛国产主控芯片实现自主可控】南芯SC3021B支持最高260KHz工作频率，专为平面变压器设计，也是首批国产GaN直驱控制器，集成分段式供电。南芯SC3021B满足各类高频QR快充需求，采用专有的GaN直驱设计，省去外置驱动器或者分立驱动器件；集成分段式供电模式，单绕组供电，无需复杂的供电电路；内置高压启动及交流输入Brown In/Out功能，集成了X-cap放电功能。

基于南芯SC3021B+SC3503+SC2151A的芯片组合开发的65W单口平面变压器氮化镓快充方案，搭配英诺赛科INN650D02氮化镓功率器件。

可以看到，为了实现更高的功率密度，该方案采用更加紧凑的设计。输入端采用两块小板，让整个PCB模块体积进一步压缩，尺寸可做到50*27*25mm，功率密度达1.9W/cm3，具有BOM极简，高功率密度特点。
3、南芯SC3021D

南芯SC3021D支持170KHz GaN直驱，专为30W氮化镓充电器进行设计，并在该方案下可采用ATQ17/15绕线式变压器，极具性价比。南芯SC3021D采用专有的GaN直驱设计，省去外置驱动器或者分立驱动器件；集成分段式供电模式，单绕组供电，无需复杂的供电电路；内置高压启动及交流输入Brown In/Out功能，集成了X-cap放电功能。

基于SC3021D、SC3503、SC2151A三颗芯片开发的30W氮化镓单口快充方案。兼容协议多，电压档位齐全，性能强悍。该方案下PCB板尺寸仅为36*32*20mm，功率密度为1.3W/cm3，高功率密度是其另一大特点。

在SC2151A协议芯片加持下，USB-C口支持PD、PPS、AFC、FCP、SCP、VOOC等快充协议，具备5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A和3A/2A PPS电压档位。
MIX-DESIGN美思迪赛

1、美思迪赛MX6535

美思迪赛MX6535是国内首颗具备量产条件的氮化镓快充主控制芯片，打破了国内没有氮化镓控制IC和驱动IC的局面。其可以实现精准的多级恒压和多级恒流调节，而无需传统的二次电流反馈电路；采用美思迪赛第二代Smart-Feedback技术，它不仅消除了传统电源的电压电流反馈电路补偿网络的需要，并能在所有操作条件下宽范围输出时（3.3V~20V）保持系统稳定性。
同时，具备全面的保护功能和故障解除系统自动恢复功能，包括逐周期电流限制、不同输出电压自适应的过电压保护、反馈回路开路保护、芯片内外部OTP功能等。